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鈦靶材作為物理氣相沉積（PVD）技術的核心耗材，是制備高性能薄膜的“源頭材料”。在光伏能源領域，鈦及其合金靶材主要用于制備高效、穩定的功能薄膜，直接關系到光伏電池的光電轉換... 【詳情】

高純鎳靶材憑借其優異的導電性、耐腐蝕性和鍍膜性能，在半導體、新能源等領域占據重要地位。與鈦、鋯等靶材相比，其在成本與性能間實現了較好平衡。未來隨著技術迭代，高純鎳靶材的純度提升和復合化將是主要發展方向... 【詳情】

化工用鋯管靶憑借其卓越的耐腐蝕性和高溫穩定性，在強酸、核工業等極端環境中不可替代。與鈦、鉭等材料相比，其在性價比和綜合性能上更具優勢。未來隨著綠色化工和新能源技術的發展，鋯管靶的需求將持續增長... 【詳情】

產品名稱：鋯靶管、鋯旋轉靶廠家：凱澤金屬材 質：Zr純 度：99.98%晶粒度：<100um工藝：熱軋，冷軋，酸洗，剪切而成應用領域：主要用于消費電子行業, Low-e 玻璃鍍膜，觸摸屏鋯材標準：ASTM B550 AS... 【詳情】

產品名稱：高純鋁靶材高純鋁靶材是用于真空鍍膜行業濺射靶材中的一種，是高純鋁經過系列加工后的產品，具有特定的尺寸和形狀高純鋁材料，安裝在真空鍍膜機上，濺射成膜。1、用途適用... 【詳情】

產品名稱：鎳靶塊牌號：N6, N4用途：鎳靶塊主要用于半導體分離器件、平面顯示器、儲存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面涂層，玻璃鍍膜工業等。... 【詳情】

產品名稱：鎳靶產品材質：Ni產品規格：685.7 L x 127 W x 6 H mm （按客戶要求定制) (可提供背板綁定)純度：99.99%產品應用：電子半導體，晶元及芯片、微電子傳感器、航空航天、5G光電行... 【詳情】

產品名稱：鉻靶材、鉻靶塊、鉻圓柱靶產地：寶雞銘含量 : 99.5%雜質含量： 0.5%重量 ：不等( KG/塊）用途：鉻靶用于半導體分離器件、平面顯示器、儲存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面涂... 【詳情】

產品名稱：鈦靶材、鈦板靶、鈦靶板牌號：TA0，TA1，TA2，GR1，GR2執行標準：GB/T2695-1996，ASTM B348-97用途：用于半導體分離器件、平面顯示器、儲存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面涂層，玻璃... 【詳情】

產品名稱：高純鉻靶,鉻靶材,鉻靶塊產地：寶雞銘含量 : 99.5%雜質含量： 0.5%重量 ：不等( KG/塊）用途：鉻靶用于半導體分離器件、平面顯示器、儲存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面涂層，... 【詳情】

產品名稱：鎳靶產品材質：Ni產品規格：685.7 L x 127 W x 6 H mm （按客戶要求定制) (可提供背板綁定)純度：99.99%產品應用：電子半導體，晶元及芯片、微電子傳感器、航空航天、5G光電行... 【詳情】

產品名稱：鈦靶 、高純鈦靶產品名稱高純度靶材尺寸1.圓形靶：98*45/95*40/128*45/100*40；2.現貨充足，24H發貨牌號鈦:TA0 TA1 TA2純度99.5%,99.95%, 99.98%99.995%資質認證ISO 9001... 【詳情】

產品名稱：鈦靶材，鈦旋轉靶，鈦靶管牌號：TA0，TA1，TA2/GR1，GR2執行標準：GB/T2695-1996，ASTM B348-97用途：用于半導體分離器件、平面顯示器、儲存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面涂層，玻璃... 【詳情】

牌號：鉻靶 尺寸：100*50 100*40 95*45 95*40 80*45 672*127*12 70*7*1135等。鉻靶是用先進的熱等靜壓（HIP）工藝生產而成，靶材致密度高（密度＞7.17g/cm3），成分均勻，晶粒細小，使用壽命長。... 【詳情】

產品名稱：高純鋁靶材高純鋁靶材是用于真空鍍膜行業濺射靶材中的一種，是高純鋁經過系列加工后的產品，具有特定的尺寸和形狀高純鋁材料，安裝在真空鍍膜機上，濺射成膜。1、用途適用... 【詳情】

產品名稱：鎳靶材、鎳旋轉靶，鎳平面靶，鎳多弧靶牌號：N6, N4用途：用于半導體分離器件、平面顯示器、儲存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面涂層，玻璃鍍膜工業等。... 【詳情】

產品名稱：純鋯靶材、鋯圓靶、鋯板靶、鋯管靶牌號：R60702、R60704、R60705（Zr702、Zr704、Zr705）生產工藝：熱軋+冷軋+表面清洗+機加形狀：板靶/圓靶/管靶應用行業：鋯具有熔點高，密度適... 【詳情】

產品名稱：高純鋁靶材高純鋁靶材是用于真空鍍膜行業濺射靶材中的一種，是高純鋁經過系列加工后的產品，具有特定的尺寸和形狀高純鋁材料，安裝在真空鍍膜機上，濺射成膜。1、用途適用... 【詳情】

牌號：鉻靶 尺寸：100*50 100*40 95*45 95*40 80*45 672*127*12 70*7*1135等。鉻靶是用先進的熱等靜壓（HIP）工藝生產而成，靶材致密度高（密度＞7.17g/cm3），成分均勻，晶粒細小，使用壽命長。... 【詳情】

名稱：鈦靶材、鈦多弧靶, 鈦平面靶，鈦旋轉靶牌號：TA0，TA1，TA2，GR1，GR2執行標準：GB/T2695-1996，ASTM B348-97用途：用于半導體分離器件、平面顯示器、儲存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面... 【詳情】