圓柱鈦靶材憑借其高致密性與工藝適應性，在半導體（如5 nm節點TiN阻擋層）和超精密光學領域不可替代。相較于鈦管靶，其材料利用率低約20%，但更適合小尺寸高精度鍍膜（如Φ200 mm晶圓）；對比鎳靶塊，鈦靶的耐高溫性（熔點高213℃）和膜層硬度（TiN硬度達2000 HV）優勢顯著。在高端應用中，需選擇HIP工藝制備的納米晶靶材... 【詳情】

鈦靶板（平面靶）憑借其大面積成膜能力與高純度特性，成為半導體、光學及工業涂層領域的核心材料。相較于鈦管靶，其邊緣損耗較高但兼容性更廣；與鈦合金靶相比，純度更高但需依賴復合背板提升散熱效率。選購時需嚴格把控純度、微觀結構及供應商工藝能力，使用中需優化濺射參數與維護流程，以平衡鍍膜質量與成本效益... 【詳情】

異形鈦靶材通過定制化設計解決了復雜結構鍍膜的行業痛點，盡管初期成本與周期較高，但其在材料利用率、鍍膜精度上的優勢顯著。選購時需緊密協同設計與工藝團隊，優先選擇具備增材制造與精密加工能力的供應商，并通過小批量試制驗證可行性。在半導體3D集成、航空航天高溫涂層等前沿領域... 【詳情】

產品名稱：鈦靶材、鈦板靶、鈦靶板牌號：TA0，TA1，TA2，GR1，GR2執行標準：GB/T2695-1996，ASTM B348-97用途：用于半導體分離器件、平面顯示器、儲存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面涂層，玻璃... 【詳情】

產品名稱：鈦靶材、鈦多弧靶, 鈦靶塊，鈦塊牌號：TA0，TA1，TA2，GR1，GR2執行標準：GB/T2695-1996，ASTM B348-97用途：用于半導體分離器件、平面顯示器、儲存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面涂... 【詳情】

產品名稱：鈦靶材、鈦多弧靶, 鈦靶塊，鈦塊牌號：TA0，TA1，TA2，GR1，GR2執行標準：GB/T2695-1996，ASTM B348-97用途：用于半導體分離器件、平面顯示器、儲存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面涂... 【詳情】