一、金屬靶材為薄膜沉積核心材料，廣泛用于平板顯 示器、半導(dǎo)體、光伏電池、記錄媒體等領(lǐng)域
（一）分類方式：按應(yīng)用可分為半導(dǎo)體靶材、平板顯示靶材、 太陽能電池靶材、記錄存儲靶材等
靶材按應(yīng)用可分為半導(dǎo)體靶材、平板顯示靶材、太陽能電池靶材、信息存儲靶材。靶材制備位于 產(chǎn)業(yè)鏈的中游，從產(chǎn)業(yè)鏈來看，靶材上游原材料材質(zhì)主要包括純金屬、合金以及陶瓷化合物三類。 下游應(yīng)用市場則較為廣泛，但整體來看主要集中在平板顯示、信息存儲、太陽能電池、半導(dǎo)體四 個領(lǐng)域，四大板塊約合占比 97%。
此外根據(jù)其形狀、材質(zhì)不同，濺射靶材也有多種分類方式：
1） 按形狀分類：可分為長靶、方靶、圓靶和管靶。其中常見的靶材多為方靶、圓靶，均為實心 靶材。近年來，空心圓管型濺射靶材由于具有較高的回收利用率，也在國內(nèi)外得到了一定推 廣。據(jù)立坤鈦業(yè)官網(wǎng)相關(guān)信息介紹，在鍍膜作業(yè)中，圓環(huán)形的永磁體在靶材的表面產(chǎn)生的磁 場為環(huán)形，會發(fā)生不均勻沖蝕現(xiàn)象，濺射的薄膜厚度均勻性不佳，靶材的使用效率大約只有 20%～30%。目前，為了提高靶材的利用率，國內(nèi)外都在推廣可圍繞固定的條狀磁鐵組件旋轉(zhuǎn)的空心圓管型濺射靶材，此種靶材由于靶面 360°都可被均勻刻蝕，因而利用率可由通常 的 20%～30%提高到 75%～80%。
2）按材質(zhì)，可分為金屬靶材（純金屬鋁、鈦、銅、鉭等）、合金靶材（鎳鉻合金、鎳鈷合金 等）、陶瓷化合物靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）；
（二）行業(yè)現(xiàn)狀：全球靶材市場穩(wěn)步增長，日美在高端領(lǐng)域優(yōu)勢明顯
1、行業(yè)規(guī)模：預(yù)計 2020年全球靶材市場規(guī)模約 188 億美元，我國靶材市場規(guī)模也將達到 315 億 元（折合 46 億美元）
根據(jù)江豐電子與阿石創(chuàng)招股說明書相關(guān)數(shù)據(jù)以及部分下游市場數(shù)據(jù)，我們對靶材四大領(lǐng)域進行了 拆分估算預(yù)測，整體來看，預(yù)計 2020 年全球靶材市場規(guī)模約 188 億美元，2014-2020 年 CAGR 為 6.5%，中國靶材市場規(guī)模也達到了 46 億美元。2014-2020 年 CAGR 為 13.5%，國產(chǎn)化替代進 程不斷加快。
2、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)：與全球靶材市場結(jié)構(gòu)相比，我國靶材市場結(jié)構(gòu)中平板顯示靶材與半導(dǎo)體靶材比例 相對較高，記錄媒體靶材與太陽能電池靶材比例相對較低。據(jù)測算，2020年全球靶材結(jié)構(gòu)中平板 顯示靶材占比約 39%、記錄媒體靶材占比約 33%、太陽能電池靶材占比約 17%、半導(dǎo)體靶材占比約 8%。我國靶材市場結(jié)構(gòu)中平板顯示靶材占比約 48%、記錄媒體靶材占比約 31%、太陽能電 池靶材占比約 9%、半導(dǎo)體靶材占比約約 9%。與全球靶材市場結(jié)構(gòu)相比，我國靶材市場結(jié)構(gòu)中平 板顯示靶材與半導(dǎo)體靶材比例相對較高，記錄媒體靶材與太陽能電池靶材比例相對較低。
3、競爭格局：全球靶材市場呈寡頭競爭格局，日美在高端濺射靶材領(lǐng)域優(yōu)勢明顯。目前，全球 濺射靶材市場主要有四家企業(yè)，分別是 JX日礦金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯，市場份額分別 為 30%、20%、20%和 10%，合計壟斷了全球80%的市場份額。其中美國、日本跨國集團產(chǎn)業(yè) 鏈完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個環(huán)節(jié)，具備規(guī)模化生產(chǎn)能力，在掌 握先進技術(shù)以后實施壟斷和封鎖，主導(dǎo)著技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，在中高端半導(dǎo)體濺射靶材領(lǐng)域優(yōu)勢明顯。
國內(nèi)濺射靶材主要應(yīng)用于中低端產(chǎn)品，但部分靶材生產(chǎn)企業(yè)已經(jīng)逐漸突破關(guān)鍵技術(shù)門檻，國產(chǎn)鋁、 銅、鉬等靶材逐漸嶄露頭角。我國濺射靶材產(chǎn)業(yè)起步較晚，目前具備規(guī)?；a(chǎn)能力和較強研發(fā)實力的企業(yè)較少，濺射靶材主要應(yīng)用于中低端產(chǎn)品。但近年來隨著國家政策的鼓勵與資金的支持， 部分企業(yè)已經(jīng)突破了關(guān)鍵技術(shù)門檻，國產(chǎn)鋁、銅、鉬等靶材逐漸嶄露頭角。我國濺射靶材行業(yè)主要上市公司有江豐電子、有研新材、阿石創(chuàng)、隆華科技。
有研新材：主要生產(chǎn)半導(dǎo)體靶材。已實現(xiàn)鎳鉑、鈷、鎢、銅等十余款 12英寸高純金屬濺射靶材產(chǎn) 品的關(guān)鍵技術(shù)突破，多款產(chǎn)品通過中芯國際、長江存儲以及新加披、韓國等國內(nèi)外高端集成電路 廠商驗證，并批量供貨，客戶覆蓋中芯國際、大連 intel、臺積電、聯(lián)電、北方華創(chuàng)等芯片制造和 設(shè)備企業(yè)；公司大尺寸靶材占比持續(xù)增加，8-12 英寸靶材占比已達到靶材整體銷量的三分之二， 其中 12 英寸靶材銷售數(shù)量較 2019 年增長 115%；2020年公司先進封裝用高純靶材銷售量繼續(xù)保持全國領(lǐng)先。
江豐電子：靶材業(yè)務(wù)多元化擴展，產(chǎn)品在半導(dǎo)體、太陽能光伏和面板領(lǐng)域均有覆蓋。主要產(chǎn)品為 各種高純?yōu)R射靶材，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體（主要為超大規(guī)模集 成電路領(lǐng)域）、平板顯示、太陽能等領(lǐng)域。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司已成為臺積電、SK 海力士、中芯 國際、聯(lián)華電子等廠商的供應(yīng)商；在平板顯示領(lǐng)域，公司已成為京東方、華星光電等全球知名面 板廠商的供應(yīng)商。
隆華科技：在平面顯示靶材行業(yè)處于國內(nèi)領(lǐng)先地位。擁有豐富靶材產(chǎn)品系列組合，四豐電子和晶 聯(lián)光電分別在鉬靶和 ITO 靶材業(yè)務(wù)均屬于行業(yè)龍頭，同時在鉬合金靶材和銅靶材等產(chǎn)品市場推廣 也取得積極進展。四豐電子用戶包括京東方、華星光電、天馬微電子等企業(yè)，覆蓋了國內(nèi)主要使 用鉬靶材的企業(yè)，且市場占有率越來越高，經(jīng)過多年研發(fā)，公司大尺寸寬幅鉬靶已開始批量供貨， 成為了新的增長點。
阿石創(chuàng)：集鍍膜材料研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等為一體的綜合性平板顯示鍍膜材料企業(yè)。阿石創(chuàng)在面板 領(lǐng)域主要生產(chǎn)鉬、鋁、銅、鈦及 ITO 靶材，產(chǎn)品除面板、觸控外還應(yīng)用于光學(xué)器件、太陽能光伏 和汽車/建筑玻璃鍍膜等領(lǐng)域。開拓了華星光電、彩虹光電、中電熊貓等客戶。產(chǎn)品遠銷日本、美 國、德國、韓國等國家。
（三）行業(yè)壁壘：擁有技術(shù)、客戶雙重壁壘，行業(yè)護城河明顯
1、技術(shù)壁壘：靶材制造和濺射鍍膜技術(shù)要求較高，五大核心技術(shù)鑄牢行業(yè)護城河。
高純?yōu)R射靶材屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，對生產(chǎn)技術(shù)、機器設(shè)備、工藝流程和工作環(huán)境都提出了非常 嚴格的要求。長期以來，以美國、日本為代表的濺射靶材生產(chǎn)商在掌握核心技術(shù)以后，執(zhí)行非常 嚴格的保密和專利授權(quán)措施，這對新進入行業(yè)的企業(yè)設(shè)定了較高的技術(shù)門檻，尤其對于新產(chǎn)品開 發(fā)來說，不僅開發(fā)周期較長，而且技術(shù)要求高，這就為濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)的研發(fā)能力、技術(shù)水平 和生產(chǎn)工藝提出了更高的標準。
通常來看，濺射靶材生產(chǎn)過程可分為金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜、終端應(yīng)用四個環(huán)節(jié)：
靶材制造環(huán)節(jié)是在濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈條中對生產(chǎn)設(shè)備及技術(shù)工藝要求最高的環(huán)節(jié)，濺射薄膜的品質(zhì) 對下游產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要影響。靶材制造環(huán)節(jié)首先需要根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域的性能需求進行工藝 設(shè)計，然后進行反復(fù)的塑性變形、熱處理來控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標，再經(jīng)過水切割、機械加 工、金屬化、超生測試、超聲清洗等工序。濺射靶材制造所涉及的工序精細且繁多，工序流程管 理及制造工藝水平將直接影響到濺射靶材的質(zhì)量和良品率。目前制備靶材的方法主要有鑄造法和 粉末冶金法。對于難熔金屬，也可采用熔煉法。
濺射鍍膜環(huán)節(jié)：濺射機臺長期被美國、日本等跨國集團壟斷。在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要 安裝在機臺中完成濺射反應(yīng)，濺射機臺專用性強、精密度高，市場長期被美國、日本跨國集團壟 斷。具體來看，鍍膜設(shè)備大體可分成真空形成系統(tǒng)、發(fā)射源和沉積系統(tǒng)、沉積環(huán)境控制系統(tǒng)、監(jiān) 控系統(tǒng)、傳動機構(gòu)系統(tǒng) 5 部分，但目前國產(chǎn)供應(yīng)商多集中在中低端產(chǎn)品，中高端市場占比極小。 如發(fā)射源和沉積系統(tǒng)，盡管國內(nèi)有能力制作熱蒸發(fā)系統(tǒng)，但普遍使用的電子槍系統(tǒng)和濺射電源設(shè) 備依然依賴進口，而在 RF 離子源方面，已有國內(nèi)企業(yè)打破技術(shù)封鎖成功研發(fā)出高端國產(chǎn)設(shè)備。
除靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)外，超高純金屬提純技術(shù)也具有較高技術(shù)壁壘。尤其是先進半導(dǎo)體等 高端制造行業(yè)所需金屬純度在 5N5 甚至 6N 及其以上。單純的金屬提純無法滿足靶材要求，而超 高純銅、超高純鋁等核心技術(shù)多掌握在霍尼韋爾、日礦、東曹等美、日企業(yè)手中，這些巨頭占據(jù) 80%以上超高純領(lǐng)域的市場份額，并且持有專有技術(shù)，但近年來我國部分企業(yè)在金屬提純方面已 經(jīng)取得了較大進步，江豐電子和阿石創(chuàng)在鋁靶材領(lǐng)域、隆華科技在鉬鈀材和 ITO 靶材領(lǐng)域、有研 新材在銅靶材均有突破。
綜合純化與制備流程的技術(shù)來看，高純?yōu)R射靶材主要包括五大核心生產(chǎn)技術(shù)。參考長沙鑫康新材 料官網(wǎng)《高純?yōu)R射靶材是影響靶材質(zhì)量的關(guān)鍵之五大核心生產(chǎn)技術(shù)》一文，綜合純化與制備流程 的技術(shù)來看，能夠掌控高端靶材市場的核心技術(shù)主要包括： a.超高純金屬控制和提純技術(shù)、b.晶 粒晶向控制技術(shù)、c.異種金屬大面積焊接技術(shù)、d.金屬的精密加工及特殊處理技術(shù)、e.靶材的清洗 包裝技術(shù)，是獲取高端靶材的必備技術(shù)。
2、客戶認證壁壘：以半導(dǎo)體靶材為例，客戶認證周期一般需要 2-3年，且采取供應(yīng)商份額制，新進入行業(yè)的企業(yè)面臨著較高的客戶認證壁壘。顯示面板行業(yè)客戶認證周期也高達 1-2 年。
高純?yōu)R射靶材行業(yè)存在嚴格的供應(yīng)商認證機制，一般需要 2-3 年。由于高純?yōu)R射靶材技術(shù)含量高， 其產(chǎn)品質(zhì)量、性能指標直接決定了終端產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定性，屬于客戶的關(guān)鍵原材料。因此，高 純?yōu)R射靶材行業(yè)存在嚴格的供應(yīng)商認證機制，只有通過嚴格的行業(yè)性質(zhì)量管理體系認證，同時滿 足下游客戶的質(zhì)量標準和性能要求，才能成為下游客戶的合格供應(yīng)商。通常情況下，需要經(jīng)過供 應(yīng)商初評、報價、樣品檢測、小批樣使用、以及穩(wěn)定性檢測等一系列評價過程，一般需要 2-3 年。
半導(dǎo)體芯片制造企業(yè)采取供應(yīng)商份額制，新進入行業(yè)的企業(yè)面臨著較高的客戶認證壁壘。濺射靶 材供應(yīng)商在通過下游客戶的資格認證后，下游客戶會與濺射靶材供應(yīng)商保持長期穩(wěn)定的合作關(guān)系， 不會輕易更換供應(yīng)商，并在技術(shù)合作、供貨份額等方面向優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商傾斜。，一般來看下游商家 會選擇三家左右的穩(wěn)定供應(yīng)商。且排名第一的供應(yīng)商處的采購量最大，排名第二的供應(yīng)商處的采 購量較小，而排名第三的供應(yīng)商則處于備胎位置。因此新進入行業(yè)企業(yè)需要在技術(shù)水平、產(chǎn)品質(zhì) 量、后續(xù)服務(wù)和供應(yīng)價格等方面顯著超過原有供應(yīng)商，才有可能獲得供貨訂單，因此，新進入行 業(yè)的企業(yè)面臨著較高的客戶認證壁壘。
顯示面板行業(yè)客戶認證周期也需要大約 1-2 年時間。液晶面板行業(yè)對濺射靶材的品質(zhì)和穩(wěn)定性要 求很高，對供應(yīng)商資格認證壁壘較高，認證周期很長。一般情況下，在 1 條 8.5 代生產(chǎn)線上完成 靶材的認證，大約需要 1 年時間，在高端 TFT-LCD 以及 OLED 顯示領(lǐng)域，認證周期則長達 1～2 年。如果一家用戶單位擁有多條生產(chǎn)線的，則必須在上一條生產(chǎn)線完成認證后，才能開始在下一 條生產(chǎn)線上開展認證。
光伏用 ITO 靶材與面板用技術(shù)互通，率先綁定產(chǎn)業(yè)龍頭者有望獲取先發(fā)優(yōu)勢。HJT 光伏電池（異 質(zhì)結(jié)電池）在制備 TCO 導(dǎo)電膜階段需要 ITO 靶材，其制作工藝和技術(shù)類似于面板用 ITO 靶材， 但 ITO 靶材各家參數(shù)差別巨大，需要與下游廠家聯(lián)合測試開發(fā)，率先綁定產(chǎn)業(yè)龍頭者有望獲取先 發(fā)優(yōu)勢，高筑行業(yè)壁壘。（報告來源：未來智庫）
二、半導(dǎo)體靶材：產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移加速靶材國產(chǎn)替代，技術(shù) 革新推動銅鉭需求提升
（一）需求：晶圓產(chǎn)能加速向中國大陸轉(zhuǎn)移，21-25 年我國 靶材需求增速或達 9.2%
1、靶材在半導(dǎo)體中的應(yīng)用
半導(dǎo)體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，也是對靶材的成分、組織和性能要求最高 的領(lǐng)域，靶材純度要求通常達 99.9995%（5N5）甚至 99.9999%（6N）以上。半導(dǎo)體芯片的制作 過程可分為芯片設(shè)計、晶圓制造、芯片封裝和芯片測試四大環(huán)節(jié)，其中，在晶圓制造和芯片封裝 這兩個環(huán)節(jié)中都需要用到金屬濺射靶材。其中，靶材在晶圓制造環(huán)節(jié)主要被用作金屬濺鍍，常采 用 PVD 工藝進行鍍膜，通常使用純度在 5N5 及以上的銅靶、鋁靶、鉭靶、鈦靶以及部分合金靶 等；靶材在芯片封裝環(huán)節(jié)常用作貼片焊線的鍍膜，常采用高純及超高純金屬銅靶、鋁靶、鉭靶等。
半導(dǎo)體芯片用金屬濺射靶材的作用，就是給芯片上制作傳遞信息的金屬導(dǎo)線。具體工藝過程為， 在完成濺射工藝后，使各種靶材表面的原子一層一層地沉積在半導(dǎo)體芯片的表面上，然后再通過 的特殊加工工藝，將沉積在芯片表面的金屬薄膜刻蝕成納米級別的金屬線，將芯片內(nèi)部數(shù)以億計 的微型晶體管相互連接起來，從而起到傳遞信號的作用。
半導(dǎo)體靶材市場在半導(dǎo)體晶圓制造材料市場中占比約2.6%，在封裝材料市場中占比約2.7%。據(jù) SEMI統(tǒng)計，2011-2015 年，在晶圓制造材料中，濺射靶材約占晶圓制造材料市場的 2.6%。在封 裝測試材料中，濺射靶材約占封裝測試材料市場的 2.7%。全球半導(dǎo)體靶材市場規(guī)模與全球半導(dǎo)體 材料市場規(guī)模變化趨勢相近。
2、全球半導(dǎo)體靶材市場規(guī)模預(yù)測
半導(dǎo)體行業(yè)已步入新一輪景氣周期，預(yù)計2025年全球半導(dǎo)體晶圓制造材料銷售額預(yù)計將達到 604 億美元，封裝材料銷售額將達到 248 億美元。根據(jù) wind 及 SEMI 數(shù)據(jù)顯示，2011-2020 年，全球 半導(dǎo)體晶圓制造材料銷售額年均復(fù)合增長率為 4.1%，封裝材料銷售額年均復(fù)合增長率為-1.6%， 2020 年，因 5G 普及、新冠肺炎疫情推升宅經(jīng)濟需求，全球半導(dǎo)體需求攀高，全球半導(dǎo)體材料銷 售額年增 4.9%至 553 億美元，其中晶圓制造材料占比 63%，銷售額為 349 億美元；半導(dǎo)體封裝 材料 204 億美元。據(jù) Gartner，經(jīng)過 2019 年的周期性調(diào)整，半導(dǎo)體行業(yè)已步入新一輪景氣周期。
我們假設(shè) 2020-2025 年全球半導(dǎo)體晶圓制造材料銷售額 CAGR 與 IC Insights 預(yù)測全球晶圓制造 市場規(guī)模 CAGR 基本保持一致，為 11.6%，預(yù)計 2025 年全球半導(dǎo)體晶圓制造材料銷售額預(yù)計將 達到 604 億美元，同時假設(shè) 21-25 年全球半導(dǎo)體封測材料銷售額 CAGR 與 Frost & Sullivan 預(yù)測 全球封測行業(yè)市場規(guī)模 CAGR 保持一致，為 4.0%，封裝材料銷售額將達到 248 億美元。
假設(shè) 2016-2025 年濺射靶材占晶圓制造材料銷售額的比例維持在 2.6%。在封裝測試材料中，濺 射靶材占封裝測試材料的比例維持在 2.7%。我們預(yù)計 2025 年全球半導(dǎo)體靶材市場規(guī)模將達到 22.4 億美元。
3、中國半導(dǎo)體靶材市場規(guī)模預(yù)測
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，靶材行業(yè)正步入快速發(fā)展期，預(yù)計 2025 年我國半導(dǎo)體靶材市場規(guī) 模將達到 43 億元（折合 6.7 億美元）。在政府政策的支持和我國相對巨大的成本及市場優(yōu)勢下， 半導(dǎo)體從正加速向中國大陸轉(zhuǎn)移，一方面包括臺積電、聯(lián)電等在內(nèi)的多家晶圓代工企業(yè)將在大陸 投放產(chǎn)線，另一方面大陸晶圓代工廠包括中芯國際、華力微電子等也有多條產(chǎn)線投產(chǎn)。隨著半導(dǎo) 體晶圓產(chǎn)能陸續(xù)向中國轉(zhuǎn)移，國內(nèi)半導(dǎo)體制造行業(yè)的體量將迅速擴張，靶材行業(yè)也步入了快速發(fā) 展期，據(jù) MIR 睿工業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2020 年我國半導(dǎo)體靶材市場規(guī)模約 29.86 億元（折合 4.33 億美 元），2013-2020 年 CAGR 約 16.15%。
據(jù) ICInsights 的預(yù)測，到 2025 年中國大陸半導(dǎo)體芯片市場規(guī)模將達到 2230 億美元，2020-2025 年間的年復(fù)合增長率將達 9.2%。我們假設(shè)半導(dǎo)體材料增速與大陸生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片市場規(guī)模增速持 平，且 2021-2025年靶材在半導(dǎo)體材料銷售額中的占比與 2020年持平，維持在 4.5%。預(yù)計 2025 年我國半導(dǎo)體靶材市場規(guī)模將達到 43 億元（折合 6.7 億美元）
（二）供給：日美廠商占比約占 90%，國產(chǎn)銅、鋁等靶材已 取得定點突破
1、國外主要半導(dǎo)體供應(yīng)商基本情況
日礦金屬、東曹公司以及美國的霍尼韋爾、普萊克斯公司，四家靶材制造國際巨頭，占據(jù)了全球 半導(dǎo)體芯片用靶材市場約 90%的份額。半導(dǎo)體靶材技術(shù)含量極高，處于靶材應(yīng)用場景頂端，市場 集中度極高，日礦金屬、東曹公司以及美國的霍尼韋爾、普萊克斯公司，四家靶材制造國際巨頭， 占據(jù)了全球半導(dǎo)體芯片用靶材市場約 90%的份額。憑借著先發(fā)優(yōu)勢，美日等國的靶材企業(yè)已經(jīng)具 備了從金屬材料的高純化制備到靶材制造的完備的技術(shù)垂直整合能力，在全球高端電子制造用靶材市場占據(jù)著絕對的領(lǐng)先地位。
2、國內(nèi)主要半導(dǎo)體靶材供應(yīng)商基本情況
在政策引導(dǎo)和支持下，我國半導(dǎo)體用銅、鋁、鈦等靶材已實現(xiàn)定點突破，江豐電子（鋁靶、鈦靶、 鉭靶）、有研新材（銅靶、鈷靶）是國內(nèi)半導(dǎo)體用濺射靶材的龍頭企業(yè)。
產(chǎn)能方面：未來 2-3 年我國半導(dǎo)體靶材預(yù)計將新增 10 萬塊以上產(chǎn)能
江豐電子：1）現(xiàn)有產(chǎn)能：目前擁有半導(dǎo)體或平板顯示用高純鋁靶材36920塊、高純鈦靶材11895塊、高純銅靶材1000塊、高純鎢靶材500塊、高純鈷靶材1000塊，高純鉭靶材4614塊。 2)新增產(chǎn)能：2021 年 12 月公司向特定對象發(fā)行股票擬募集資金總額不超過16.52億元，用于建 設(shè)寧波江豐電子年產(chǎn) 5.2 萬個超大規(guī)模集成電路用超高純金屬濺射靶材產(chǎn)業(yè)化項目、浙江海寧年產(chǎn)1.8萬個超大規(guī)模集成電路用超高純金屬濺射靶材產(chǎn)業(yè)化項目。項目建成后預(yù)計將新增 7 萬塊 半導(dǎo)體靶材產(chǎn)能，項目建設(shè)期預(yù)計為 24個月。
有研新材：1）現(xiàn)有產(chǎn)能：目前擁有約 2 萬噸半導(dǎo)體產(chǎn)能；2)新增產(chǎn)能：公司年產(chǎn) 30 噸集成電路 用超高純銅新材料項目也正穩(wěn)步推進，此外 2022 年 3 月公司也發(fā)布了有研億金靶材擴產(chǎn)項目公 告，擬投資 6.46 億元新建山東德州新建生產(chǎn)基地和改擴建昌平基地項目，預(yù)計將在 2025 年底前 達產(chǎn)，項目達產(chǎn)后公司產(chǎn)能將擴充 73000 塊/年。
（三）應(yīng)用趨勢：下游技術(shù)革新，濺射靶材逐步向大尺寸、多 品種、高純度化發(fā)展
芯片制程工藝已經(jīng)從130nm提升至 7nm，晶圓尺寸也已實現(xiàn)了 8 英寸到 12 英寸的轉(zhuǎn)變,，對濺 射靶材性能要求大幅提升。濺射靶材的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)革新息息相關(guān)，隨著 應(yīng)用市場在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)進步，濺射靶材也需要隨之變化，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā) 展，集成電路中的晶體管和線寬的尺寸越來越小。芯片制程工藝已經(jīng)從 130nm 提升至 7nm，與之 對應(yīng)的晶圓尺寸也已實現(xiàn)了 8 英寸到 12 英寸的轉(zhuǎn)變，此外臺積電、三星等企業(yè)也正在加速推進更 高端的芯片制程工藝研發(fā)與生產(chǎn)。為了滿足現(xiàn)代芯片高精度、小尺寸的需求，對電極和連接器件 的布線金屬薄膜的性能要求越來越高，這就對濺射靶材的性能提出了更高的要求。推動濺射靶材 逐步向大尺寸、多品種、高純度化發(fā)展。
1、趨勢 1：大尺寸
大尺寸是靶材的重要發(fā)展方向，但隨尺寸增加，靶材在晶粒晶向控制難度呈指數(shù)級增加，對技術(shù) 要求就越高。晶圓尺寸越大，可利用效率越高。.12 英寸晶圓擁有較大的晶方使用面積，得以達 到效率最佳化，相對于 8 英寸晶圓而言，12 英寸的可使用面積超過兩倍。大尺寸晶圓要求靶材也 朝著大尺寸方向發(fā)展。
2、趨勢 2：多品種
半導(dǎo)體芯片行業(yè)常用的金屬濺射靶材主要種類包括：銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純?yōu)R射靶材， 以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的濺射靶材，其中鋁與銅為兩大主流導(dǎo)線工藝。目前芯片生產(chǎn)所使用的 主流工藝中同時存在鋁和銅兩種導(dǎo)線工藝，一般來說 110nm 晶圓技術(shù)節(jié)點以上使用鋁導(dǎo)線， 110nm 晶圓技術(shù)節(jié)點以下使用銅導(dǎo)線。鈦靶和鋁靶通常配合起來使用，常作為鋁導(dǎo)線的阻擋層的 薄膜材料，鉭靶則配合銅靶使用，作為銅導(dǎo)線的阻擋層的薄膜材料。
隨著晶圓制造朝著更小的制程方向發(fā)展，銅導(dǎo)線工藝的應(yīng)用量在逐步增大，因此，銅和鉭靶材的 需求將有望持續(xù)增長。在晶圓制程選擇上，從全球晶圓廠產(chǎn)能建設(shè)情況來看，12 寸晶圓廠是目前 主流建設(shè)方向。隨著晶圓制造朝著更小的制程方向發(fā)展，銅導(dǎo)線由于具有更低的電遷移效應(yīng)，及 更低的電阻，有降低功耗、提高運算速度等作用，應(yīng)用量在逐步增大。據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)顯示，如今 12 英寸晶圓約占 64%，8 英寸晶圓占比達 26%，其他尺寸晶圓占比 10%。12 英寸晶圓已經(jīng)成為 市場的主流。
但傳統(tǒng)的鋁靶由于在可靠性和抗干擾性等方面的性能依然較為突出，也仍然具有巨大的市場空間。 如汽車電子領(lǐng)域的芯片大量使用鋁鈦材料的 110nm 以上工藝以確?？煽啃浴Ｒ虼?，芯片制程工藝 的進步并不意味著原有制程工藝及其材料被淘汰，因可靠性、抗干擾性、低成本等優(yōu)勢，110nm 以上技術(shù)節(jié)點的芯片產(chǎn)品也具有巨大的市場空間。
3、趨勢 3：高純化
高純度甚至超高純度靶材是高端集成電路半導(dǎo)體芯片的必備材料，通常半導(dǎo)體靶材純度要求通常 達 99.9995%（5N5）甚至 99.9999%（6N）以上。在下游應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和 濺射薄膜的品質(zhì)要求最高，隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來，相應(yīng)地要求濺射靶材也朝著大尺 寸方向發(fā)展，同時也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。濺射薄膜的純度與濺射靶材 的純度密切相關(guān)，為了滿足半導(dǎo)體更高精度、更細小微米工藝的需求，所需要的濺射靶材純度不 斷攀升，通常半導(dǎo)體靶材純度要求通常達 99.9995%（5N5）甚至 99.9999%（6N）以上。
目前國內(nèi)濺射靶材的高純金屬原料多數(shù)依靠日美進口。但部分企業(yè)在部分金屬提純方面已取得了 重大突破。全球范圍內(nèi)，美、日等國憑借著先發(fā)優(yōu)勢和技術(shù)專利壁壘，依托先進的提純技術(shù)在產(chǎn) 業(yè)鏈中居于十分有利的地位，議價能力強，國內(nèi)濺射靶材的高純金屬原料多數(shù)也依靠日美進口。 但經(jīng)過多年的靶材技術(shù)開發(fā)，近年來部分企業(yè)已在部分金屬提純方面已取得了重大突破，已開始 逐步實現(xiàn)國產(chǎn)替代。（報告來源：未來智庫）
三、平板顯示靶材：國產(chǎn)替代+產(chǎn)品迭代，我國顯示面板靶材需求有望持續(xù)高速
（一）需求：預(yù)計 25 年我國市場規(guī)模約為 50 億美元，21- 25 年 CAGR 為 18.9%
1、靶材在平板顯示中的應(yīng)用
若根據(jù)工藝的不同，F(xiàn)PD 行業(yè)用靶材也可大致分為濺射用靶材和蒸鍍用靶材。其中濺射用靶材主 要為 Cu、Al、Mo 和 IGZO 等材料。IGZO 為 TFT 激活層，一般用于手機 LTPO OLED 技術(shù)和大 尺寸 OLED 技術(shù)。IGZO 也可以被用于 LCD 的制造和 X-ray 探測器的制造。在國內(nèi)的 LCD 生產(chǎn) 中，BOE B18 和 B19 用 IGZO 作為 TFT 激活層。在老舊產(chǎn)線中，京東方也利用 IGZO 來替代 aSi以生產(chǎn)精度更高的 X-ray探測器。ITO和 IZO為透明導(dǎo)電電極。其中 ITO被廣泛的運用于 OLED 和 LCD 的制造中，而 IZO 時而會被用于頂發(fā)射 OLED 的陰極來使用。Cu、Al、Mo 和 Ti 等金屬 則做為金屬走線，被廣泛的運用于 Array 的 TFT 生產(chǎn)中，其中鉬或者合金材料靶材常作為 OLED 器件的陰極使用，此外鋁靶也可作為陰極使用。
蒸鍍用靶材一般為 Ag 和 Mg 兩種金屬。Ag 和 Mg 合金一般用于小尺寸 OLED 面板產(chǎn)線中的陰極 制作。除此以外，Ag 也可以作為頂發(fā)射 OLED 器件中的陽極反射層使用。
其中薄膜晶體管液晶顯示面板(TFT-LCD)是當前的主流平面顯示技術(shù)，金屬濺射靶材則是制造 TFT-LCD 過程中最關(guān)鍵的材料之一。薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)具有輕薄、功耗低、成本 低等優(yōu)點，目前 TFT-LCD 大約占 80%以上的顯示面板市場份額。這類顯示面板是由大量的液晶 顯示單元陣列組成(如 4K 分辨率的屏幕含有 800 多萬個顯示單元陣列)，而每一個液晶顯示單元， 都由一個單獨的薄膜晶體管(TFT)所控制和驅(qū)動。
薄膜晶體管陣列的制作原理，是在真空條件下，利用離子束流去轟擊固體，使固體表面的原子電 離后沉積在玻璃基板上，經(jīng)過反復(fù)多次的“沉積+刻蝕”，一層層(一般為 7－12 層)地堆積制作出 薄膜晶體管陣列。這種被轟擊的固體，即用濺射法沉積薄膜的原材料，就被稱作濺射靶材。
除 LCD 外，近年來快速發(fā)展的 OLED 面板產(chǎn)業(yè)靶材需求增長也十分明顯。OLED 典型結(jié)構(gòu)是在 氧化銦錫（ITO）玻璃上制作一層幾十納米厚的發(fā)光材料，ITO 透明電極作為器件的陽極，鉬或者 合金材料作為器件的陰極。從陰陽 2 極分別注入電子和空穴，在一定電壓驅(qū)動下，被注入的電子 和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層并復(fù)合，形成激子并使發(fā)光分子產(chǎn)生單態(tài) 激子，單態(tài)激子衰減發(fā)光。
平板顯示制造中主要使用的靶材為鉬鋁銅金屬靶材和氧化銦錫（ITO）靶材，部分平板顯示企業(yè) 也會用到鈦靶、鉭靶、鈮靶、鉻靶以及銀靶等。其中鉬靶材和 ITO 靶材合計需求占比在 60%~70% 左右。但由于各家企業(yè)所采用的濺射工藝不同，其所選的濺射靶材也有區(qū)別。如，京東方用銅靶、 鋁靶、鉬靶和鉬鈮靶，韓國三星用鉭靶、鈦靶，但不用鉬鈮靶，中電熊貓用鈦靶，但不用鉬靶、 鉭靶等。以 8.5 代液晶顯示面板生產(chǎn)線為例，一條 8.5 代線每年靶材的大致消耗 120 套鋁靶、110套銅靶、60 套鉬靶、5 套鉬鈮 10 靶。此外據(jù)新材料產(chǎn)業(yè)《新型顯示產(chǎn)業(yè)的 ITO 靶材市場探討》， 目前國內(nèi)單條 8.5 代線 ITO 靶材年需求量約 40 噸，6 代線 ITO 靶材年需求量約 20 噸。
3、顯示面板靶材市場規(guī)模預(yù)測
受益平板顯示面板需求上漲和我國平板顯示面板國產(chǎn)替代提升，預(yù)計 2025 年我國 FDP 用靶材市 場規(guī)模將達到 320 億元（折合約 50 億美元），預(yù)計 21-25 年 CAGR 為 18.9%。整體來看，全球 顯示面板出貨量增長已趨于平穩(wěn)，參考 Frost&Sullivan 數(shù)據(jù)，2021-2025 年全球顯示面板出貨量 增速不斷降低，預(yù)計 2024 年全球顯示面板出貨量將達到 2.73 億平方米，2020-2024 年年均復(fù)合 增速僅為 2.9%。我國平板顯示面板出貨量增速明顯快于全球顯示面板增速，2020-2024 年年均復(fù) 合增速為 6.3%，,國產(chǎn)替代趨勢明顯，預(yù)計 2024 年我國顯示面板出貨量將占全球顯示面板出貨量的42.5%。
受益平板顯示面板需求上漲和我國平板顯示面板國產(chǎn)替代提升，我國顯示面板靶材市場預(yù)計也將 保持較快增長，參考 IHS 預(yù)測，預(yù)計 2025 年我國 FDP 用靶材市場規(guī)模將達到 320 億元（折合約 50 億美元），預(yù)計 21-25 年CAGR為18.9%。在全球顯示面板靶材中的占比將提升到57.7%。
（二）供給：日企占據(jù)國內(nèi)市場主導(dǎo)地位，國產(chǎn)替代逐漸提速
我國顯示面板靶材高度依賴進口，日企在國內(nèi)市場仍然占據(jù)主導(dǎo)地位，但國產(chǎn)替代逐漸提速。當 前該領(lǐng)域競爭格局以攀時、世泰科、賀利氏、愛發(fā)科、住友化學(xué)、JX 金屬等為代表的國外少數(shù)幾家跨國集團占據(jù)主導(dǎo)地位，其中攀時、世泰科等廠商是全球鉬靶材的主要供應(yīng)商，住友化學(xué)、愛 發(fā)科等廠商占據(jù)了全球鋁靶材的大部分市場，三井礦業(yè)、JX 金屬、優(yōu)美科等廠商是全球 ITO 靶材 的主要供應(yīng)商，愛發(fā)科、JX 金屬等廠商是全球銅靶材的主要供應(yīng)商。國內(nèi)以隆華科技、江豐電子、 阿石創(chuàng)、有研新材、先導(dǎo)稀材為主，國產(chǎn)替代正逐漸加速。具體來看：
1、鋁靶：目前國內(nèi)液晶顯示行業(yè)用鋁靶材主要被日資企業(yè)主導(dǎo)，由于價格較低，是平板顯示行 業(yè)常用的濺射靶材，但近年來正逐步被銅靶所替代。
外企方面：愛發(fā)科電子材料(蘇州)有限公司大約占據(jù)國內(nèi) 50%左右的市場份額。其次，住友化學(xué) 也占有一部分市場份額。
國產(chǎn)方面:江豐電子從 2013 年左右開始介入鋁靶材，目前已大批量供貨，是國產(chǎn)化鋁靶材的龍頭 企業(yè)。另外，南山鋁業(yè)、新疆眾和等企業(yè)也具備高純鋁的生產(chǎn)能力。
2、銅靶：從濺射工藝的發(fā)展趨勢上來講，對銅靶材的需求比例一直在逐步增加，加之，近幾年國內(nèi)液晶顯示行業(yè)的市場規(guī)模整體上有所擴大，因此，平板顯示行業(yè)對銅靶材的需求量將繼續(xù)呈上升趨勢。
外企方面:愛發(fā)科電子材料(蘇州)有限公司幾乎壟斷著國內(nèi)銅靶材市場，市場占有率在 80%以上， 且該公司近幾年營收的增加額，主要來自于銅靶材銷量的增加。
國產(chǎn)方面:有研新材具備高純銅原料生產(chǎn)能力，但目前主要致力于半導(dǎo)體行業(yè)用圓形靶材生產(chǎn)，對 液晶顯示行業(yè)銅靶僅有 500 噸產(chǎn)能;洛銅集團具備高純銅生產(chǎn)能力但不生產(chǎn)靶材，且高純銅原料價 格和進口原料相比，在價格方面無明顯競爭優(yōu)勢;江豐電子引進海外高端人才，致力于開發(fā)高純銅 原料和銅靶材，即將批量生產(chǎn)。
3、鉬靶：鉬靶材國內(nèi)需求占全球超過一半，國產(chǎn)化率約有 50%。鉬靶具體可分為條靶、寬靶和 管靶 3 種，其中，4. 5 代、5. 5 代和 6 代線一般使用寬幅鉬靶，而8.5代及以上世代線用使用組 合條靶或管靶。
（1）組合條靶:
外企方面: 國外的奧地利攀時、德國世泰科、日本愛發(fā)科等企業(yè)已基本退出了這部分市場。
國產(chǎn)方面: 國內(nèi)鉬靶材企業(yè)主要集中在洛陽地區(qū)，其中，隆華節(jié)能下屬的洛陽高新四豐電子材料有 限公司占據(jù)了國內(nèi) 60% 多的市場份額，另外，洛陽高科鉬鎢材料有限公司占據(jù)了國內(nèi)大約 10% 左右的市場份額。
（2）寬幅鉬靶:
外企方面: 國外的攀石、世泰科等企業(yè)在國內(nèi)寬幅鉬靶材市場占據(jù)較大市場。
國產(chǎn)方面: 四豐電子大尺寸寬幅鉬靶已經(jīng)開始批量供貨；阿石創(chuàng)和金鉬股份兩家上市公司也充分利 用各自在寬幅靶材軋制和靶材加工及銷售方面的優(yōu)勢開展緊密合作，金鉬股份向阿石創(chuàng)銷售寬幅 鉬靶坯和條形鉬靶坯( 條形靶坯由寬幅靶坯切割而成) ，阿石創(chuàng)負責后續(xù)綁定等工序和成品銷售工 作。
（3）鉬管靶：每條8.5代線對鉬管靶的需求量約為30噸/年
鉬管靶 8.5 代線及以上常用鉬靶，每套包含 12根，每根單重約為 300kg，每套重量約為 3600kg。 由于鉬管靶的實際利用率約為70%，因此，每套鉬管靶的成膜重量約為 2500kg。每條 8.5 代線對鉬管靶的需求量約為30噸/年。
另外，鉬管靶的供應(yīng)商，除了要通過其面板生產(chǎn)企業(yè)的認證外，還要通過鉬管靶濺射設(shè)備生產(chǎn)商 美國 AKT 公司的認證，并且要被收取鉬管靶售價約 5%的認證費。截止 2017 年底，國內(nèi)采用管 靶濺射設(shè)備的生產(chǎn)線只有 1 條，業(yè)內(nèi)也普遍認為鉬管靶的發(fā)展空間并不大。
4、鉬鈮10合金靶
西部材料下屬西安瑞福萊鎢鉬有限公司和愛發(fā)科公司合作，經(jīng)多次試驗攻關(guān)，已于2017年成功軋 制出了氧含量小于 1000×10－6，致密度達 99.3%的 Mo-Nb 合金靶坯。
此外金鉬集團也已實現(xiàn)高純大尺寸鉬鈮管狀靶材順利交付，攻克了大規(guī)格鉬鈮合金靶材制粉、燒 結(jié)、加工等關(guān)鍵工藝難題，掌握了大尺寸靶材的核心制備技術(shù)。經(jīng)第三方機構(gòu)檢測，制備出的鉬 鈮合金靶材各項指標達到要求。在此基礎(chǔ)上，項目組又承接了用戶管狀靶材的訂購需求，順利交 付了 3 套高純大尺寸鉬鈮合金管狀靶材，且品質(zhì)優(yōu)良。鉬鈮合金管狀靶材直徑大于 150 毫米、長 度達到 2100 毫米，純度可達 99.99%，氧含量小于 500ppm。
5、ITO靶材：ITO靶材是由90%的氧化銦與10%的氧化錫配比而成，相對密度要求大于99.5%。 目前全球銦消耗量中 40%～50%以上是用于制備加工 ITO 靶材。
外企方面：據(jù)新思界 2020年 8月發(fā)布的《國內(nèi) ITO靶材需求量 5成依賴進口 國產(chǎn)替代需求較高》 一文介紹，全球 ITO 靶材市場主要供應(yīng)商有日礦金屬、三井礦業(yè)、優(yōu)美科等，其中日礦和三井幾 乎占據(jù)了高端 TFT-LCD 市場用 ITO 靶材的全部份額和大部分觸摸屏面板市場,愛發(fā)科也有相關(guān)產(chǎn) 品，東曹、日立、住友、VMC、三星、康寧等企業(yè)也掌握核心技術(shù)。目前中國 ITO 靶材供應(yīng)約一 半左右依賴進口。本土廠商生產(chǎn)的 ITO 靶材主要供應(yīng)中低端市場，約占國內(nèi)市場 30%的份額；而 高端 TFT-LCD、觸摸屏用 ITO 靶材幾乎全部從日本、韓國進口。
國產(chǎn)方面：近年來，國內(nèi)多家廠商宣布進入 ITO 靶材領(lǐng)域，但實際量產(chǎn)和導(dǎo)入并不順利，也尚未 實現(xiàn)批量供應(yīng)。據(jù)集微網(wǎng)調(diào)研，目前國內(nèi)有能力量產(chǎn)并供貨的 ITO 靶材廠商有先導(dǎo)稀材，其 ITO 靶材產(chǎn)能預(yù)計已經(jīng)達 1100 噸/年（清遠 200 噸 LCD 用 ITO 靶材，100 噸 5G 手機 ITO 靶材，合肥 800 噸），隆華科技全資子公司晶聯(lián)光電的 ITO 靶材產(chǎn)能已經(jīng)達到 100 噸/年，且在建 200噸/年， 映日科技的 ITO 靶材產(chǎn)能已經(jīng)達到 120 噸/年，戊電科技的 ITO 靶材產(chǎn)能已經(jīng)達到 50 噸/年等，而 阿石創(chuàng) ITO 靶材產(chǎn)能實際占比較小。
近年來部分國內(nèi)企業(yè)目前也已通過相關(guān)認證，在下游市場得到較為廣泛的應(yīng)用。國內(nèi)的靶材廠商 都正在不斷提升技術(shù)工藝和生產(chǎn)設(shè)備，努力通過 TFT-LCD 試鍍測試打開高端 OLED 顯示領(lǐng)域的大門。
（三）應(yīng)用趨勢：預(yù)計 OLED 用鉬靶與低電阻銅靶成長空間廣闊
顯示面板用靶材的發(fā)展趨勢是：大尺寸、低電阻、高純度、高密度化，高效率化。平板顯示器對 于濺射靶材的純度和技術(shù)要求僅次于半導(dǎo)體，一般在 4N 甚至 5N（99.999%）以上。在濺射靶材 應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等最為嚴苛。相較于半導(dǎo)體 芯片，平板顯示器對于濺射靶材的純度和技術(shù)要求略低一籌，但隨著靶材尺寸的增大，對濺射靶 材的焊接結(jié)合率、平整度等指標提出了更高的要求。
鉬濺射靶材作為 OLED 顯示屏中的關(guān)鍵核心原材料，預(yù)計未來會有較快幅度的增長，據(jù) DSCC 測 算，到 2025 年，中國大陸的 Gen6 OLED 產(chǎn)線將消耗約 248Ton 高純 Mo。鉬靶及其合計靶材作 為 OLED 陰極常用材料，通常來看是 OLED 屏幕使用最多的靶材原料，2019 年之前，鉬濺射靶 材由國外供應(yīng)商獨家供應(yīng)，國產(chǎn)化率極低，鉬靶原材料的瓶頸也阻礙這我國 OLED 顯示行業(yè)的發(fā) 展。但近年來，金鉬股份等國內(nèi)企業(yè)已突破了鉬濺射靶材行業(yè)壁壘。
如2020年，金鉬股份通過自主進行工裝技術(shù)設(shè)計、改造，先后攻克了超寬幅鉬靶所用鉬板坯的規(guī) 格設(shè)計、鉬基板板型控制、大規(guī)格板坯機加工精度控制等技術(shù)難題，成功制備出寬 1800mm，長 度 2300mm 的 G6 代鉬靶材，產(chǎn)品各項指標已經(jīng)達到國際先進水平，成功將 G6 代鉬整靶推向全 球最先進的 OLED 生產(chǎn)線使用，如三星、京東方。且公司主要產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并具有超大（寬幅 ＞1800mm，單重超 600Kg）、超純（Mo＞99.97%）、超細晶粒等特點，制備難度大，精度要求高。
據(jù)悉 2019 年金鉬股份鉬靶材產(chǎn)品銷售同比增長 222%，躋身成為三星全球第二大供應(yīng)商。2020 年鉬靶材產(chǎn)品銷量同比增加 47%。預(yù)計隨著 OLED 的快速崛起，鉬靶未來將保持較高增長。參考 DSCC 數(shù)據(jù)，預(yù)計 2025 年，中國大陸的 Gen6 OLED 產(chǎn)線大約需要消耗 46 Ton 的 Al 和 248 Ton 高純 Mo。其中京東方、深天馬和華星大致會消耗總量的 37%、20%和 17%。
此外，得益于優(yōu)異的電學(xué)性能，銅靶將在顯示屏生產(chǎn)得到廣泛運用，據(jù) DSCC 測算，中國大陸 Gen 10.5 工廠對高純 Cu 的需求會從 2021 年 599 噸，逐步增加到 2025 年的 976 噸。G8.5+產(chǎn)線 對高純 Cu 的需求將會超過 8000 噸。據(jù)悉，為滿足超高清電視性能需要和未來 4K、8K 產(chǎn)業(yè)規(guī) 劃，現(xiàn)在國內(nèi)所有的 Gen 10.5 代產(chǎn)線均已采取銅制程。同時，也為了進一步增加高端 IT 產(chǎn)品的刷新率和分辨率，一些較小的產(chǎn)線也逐步開始進行 Cu 制程的改建，不少 Gen 8.5 和 Gen 8.5 代 線也在逐漸的全部或者部分轉(zhuǎn)向Cu制程。預(yù)計到2025年，所有G8.5+的產(chǎn)線均會采用Cu制程。
隨著 Cu 制程的進一步推廣，顯示面板廠對 Cu 的需求和依賴也會進一步推高。根據(jù) DSCC 測算， 中國大陸 Gen 10.5 工廠對高純 Cu 的需求將會從 2021 年 599 噸，逐步增加到 2025 年的 976 噸。 若考慮到 G8.5+產(chǎn)線，預(yù)計中國大陸 G8.5+產(chǎn)線每年對高純 Cu 的需求會超過 8000 噸。
與 Al 不同，Cu 的氧化物不能形成致密保護膜，耐腐蝕較差且擴散性較強，所以在采取 Cu 工藝 時，一般會用 Mo 和 Ti 進行保護。據(jù) DSCC 測算，假設(shè) Gen 10.5 代線均以 Ti 來保護 Cu 線，則 在 2025 年大致一年會消耗 38 噸的高純 Ti。若考慮到 G8.5+產(chǎn)線，假設(shè)在 2025 年，G8.5+的產(chǎn) 線一半采用 Mo，而一般采用 Ti，則在 2025 年，大約需要消耗 640 噸高純 Mo，372 噸高純 Ti。
面板 ITO 靶材：預(yù)計整體需求相對穩(wěn)定，但高端 ITO 靶材國產(chǎn)替代需求強勁。ITO 靶材技術(shù)難壁 壘高，長期以來一直被外商高度壟斷，國產(chǎn)化進展十分緩慢。目前中國 ITO 靶材供應(yīng)超一半左右 依賴進口。本土廠商生產(chǎn)的 ITO 靶材主要供應(yīng)中低端市場；而高端 TFT-LCD、觸摸屏用 ITO 等靶 材幾乎全部從日本、韓國進口。據(jù) ResearchInChina 數(shù)據(jù)顯示，2018 中國 ITO 靶材需求已超過 1000 噸。但其中一半仍需進口，其中多為高端 ITO 靶材，本土企業(yè)實現(xiàn)進口替代的空間很大。但 考慮到 OLED 產(chǎn)業(yè)對于 ITO 靶材需求相對較小，預(yù)計未來面板用 ITO 靶材市場將維持相對穩(wěn)定。
四、光伏靶材： Hit 量產(chǎn)元年開啟，靶材或迎成長機遇期
（一）需求：預(yù)計 25 年我國市場規(guī)模將接近 38 億美元,21- 25 年 CAGR 為 56.1%
1、光伏電池發(fā)展趨勢
光伏領(lǐng)域?qū)Π胁牡氖褂弥饕潜∧る姵睾?HIT 光伏電池（本征薄膜異質(zhì)結(jié)電池），目前市場主流 的晶體硅太陽能電池較少用到濺射靶材。太陽能電池主要包括晶硅電池和薄膜電池兩大類，但目 前市場主流的晶體硅太陽能電池不用濺射靶材，光伏領(lǐng)域?qū)Π胁牡氖褂弥饕潜∧る姵睾?HIT 光 伏電池。其中自 2015 年三洋的 HIT 專利保護結(jié)束后，技術(shù)壁壘消除，HIT 電池電池開始推廣，近 年來發(fā)展迅速。薄膜電池近年來在美國也受到了政策的大力鼓勵。
光伏電池用靶材形成背電極，靶材濺射鍍膜形成的太陽能薄膜電池的背電級主要有三個用途：第 一，它是各單體電池的負極；第二，它是各自電池串聯(lián)的導(dǎo)電通道；第三，它可以增加太陽能電 池對光的反射。目前太陽能薄膜電池用濺射靶材主要為方形板狀，純度要求一般在 99.99%（4N） 以上。
其中薄膜電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及 ITO 靶、AZO 靶(氧化鋁鋅) 等，HIT 電池則主要使用 ITO 靶材作為其透明導(dǎo)電薄膜。鋁靶、銅靶主要用于導(dǎo)電層薄膜，鉬靶、 鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO 靶、AZO 靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。
雖然薄膜電池及 HIT 電池目前占比較低，但從目前的發(fā)展趨勢來看，CdTe 薄膜電池以及 HIT 電 池成長潛力較大。傳統(tǒng)的薄膜電池以硅基為主，但近年來轉(zhuǎn)換效率技術(shù)遇到瓶頸，從產(chǎn)品性能與 生產(chǎn)成本上相較晶硅電池無明顯優(yōu)勢，企業(yè)相繼退出、減產(chǎn)，因此傳統(tǒng)薄膜電池在太陽能電池占 比不斷下降。但隨著薄膜電池產(chǎn)品碲化鎘（CdTe）電池的推出，薄膜電池有望迎來又一輪的高速 成長期。
薄膜電池：從全球來看，碲化鎘是目前為止商業(yè)化最成功的薄膜電池。CdTe 材料帶隙寬度約 1.5eV，與太陽光譜更匹配，其理論效率達 32%。且在建筑光伏一體化趨勢下，碲化鎘薄膜電池 相對于傳統(tǒng)晶硅電池更容易滿足建筑對色彩的多樣化需求以及透光率可調(diào)，尺寸大小定制等要求， 是建筑光伏一體化最優(yōu)選擇，隨著成本的下降未來具有較大的潛力。
此外薄膜電池也是更清潔的可再生能源，碲化鎘電池相較晶硅電池具備最小的碳足跡、最快的能 源回收時間和最低的行業(yè)生命周期用水，在雙碳背景下前景較大。據(jù)悉美國近年來正大力推廣太 陽能薄膜電池技術(shù)，美國太陽能制造商 First Solar 公司也表示，將在俄亥俄州西北部投資 6.8 億 美元建設(shè)第三家碲化鎘太陽能工廠。2025 年建成后，該公司太陽能電池板產(chǎn)能將達 6 吉瓦。為約 100 萬美國家庭供電。另一家俄亥俄州托萊多太陽能公司正在生產(chǎn)住宅屋頂碲化鎘電池板。
據(jù) CPIA 的統(tǒng)計，2020 年，全球 CdTe 組件產(chǎn)量已達 6.2GW，近年來快速增長，有望帶動薄膜 電池新一輪的高速成長期。
HIT 電池也因其無光衰、高效的特性，近年來投資熱情高漲，據(jù) CPIA 預(yù)測，HIT 的市場份額將從 2020 年的 3%增加至 2025 年的 20%左右，2020 年有望成為 HIT 產(chǎn)業(yè)化元年。據(jù)北極星太陽能 光伏網(wǎng)，HIT 產(chǎn)能也有望從目前的 2GW 增長至 2024 年的 100GW 以上，目前布局 HIT 的企業(yè)越 來越多，產(chǎn)業(yè)化醞釀開啟。2020 年，各企業(yè)宣布的 HIT 產(chǎn)能規(guī)劃接近 50GW，目前已建成的 HIT 產(chǎn)能在3-5GW，根據(jù)CPIA預(yù)測，HIT的市場份額將從2020年的3%增加至2025年的20%左右。 HIT 電池預(yù)計也將帶來巨額的光伏靶材產(chǎn)能需求。
2、全球光伏靶材市場規(guī)模預(yù)測
預(yù)計 2025 年全球太陽能電池靶材市場規(guī)模有望達到 112 億美元。2020-2025 年 CAGR 為 28.8%。 HIT 方面，參考 CPIA 預(yù)測，我們假設(shè) HIT 的市場份額將從 2020 年的 3%增加至 2025 年的 20% 左右，同時假設(shè)參考前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 HIT 成長變化情況，我們假設(shè) HIT 靶材成本緩慢遞減。2025 年下降到 0.041 元/w，薄膜電池方面，由于碲化鎘薄膜電池的成功商業(yè)化，我們預(yù)計全球薄膜電 池滲透率有望繼續(xù)觸底回升，每年提升 0.5%，同時鑒于 2020 年薄膜電池內(nèi)部結(jié)構(gòu)變化相對已趨 于穩(wěn)定，我們選取 2020 年薄膜電池成本為 2021-2025 年基數(shù)，預(yù)計 2025 年全球太陽能電池靶材 市場規(guī)模有望達到 112 億美元。2020-2025 年 CAGR 為 28.8%。
3、中國光伏電池靶材市場規(guī)模預(yù)測
目前國內(nèi)光伏電池主要以硅片涂覆型太陽能電池為主，薄膜電池以及 HIT 占比較低，但是未來增長潛力較大。
薄膜電池方面：政策鼓勵疊加銷率提升，我國薄膜電池預(yù)計將逐步進入加速發(fā)展階段。我國的薄 膜電池以硅基薄膜為主，碲化鎘與銅銦鎵硒薄膜電池占比小，但隨著薄膜電池尤其是碲化鎘電池 效率提升疊加政策鼓勵，我國薄膜電池預(yù)計將逐步進入加速發(fā)展階段。
國內(nèi)薄膜電池企業(yè)數(shù)量偏少，主要為成都中建材、杭州龍焱和中山瑞科 3 家。其中龍焱能源碲化 鎘薄膜電池板已實現(xiàn)實驗室轉(zhuǎn)換效率 20.1%，大組件轉(zhuǎn)化效率超過 14.5%，逐漸接近國外領(lǐng)先碲 化鎘電池水平和目前的晶硅電池轉(zhuǎn)換效率，2021 年 10 月，住建部正式發(fā)布了國家強制性規(guī)范 《建筑節(jié)能與可再生能源利用通用規(guī)范》， BIPV 需求也進一步提升。據(jù) CPIA，目前國內(nèi)量產(chǎn)碲 化鎘薄膜電池的企業(yè)主要為成都中建材、杭州龍焱、中山瑞科三家，但目前產(chǎn)能規(guī)模相對較小。
HIT 電池方面，目前通威股份、愛康科技、彩虹新能源、漢能等上市公司相繼布局 HIT 電池。其 中通威股份擬在四川成都投資建設(shè) 2GWHJT 電池產(chǎn)線，并宣布與捷佳偉創(chuàng)合作研發(fā) 200MW，邁 為股份合作研發(fā) 200MW 產(chǎn)線；愛康科技擬于江蘇湖州建設(shè) 5GWHJT 電池產(chǎn)線。國內(nèi)廠商晉能、 陜西煤業(yè)、中智等均在進行 HIT 的嘗試。
我們假設(shè) 2025 年中國薄膜電池產(chǎn)品類型結(jié)構(gòu)開始與全球趨同，且 HIT 電池與薄膜電池滲透率中 國與全球逐步趨同，預(yù)估 2025 年中國太陽能電池靶材市場規(guī)模預(yù)計將達到約 38 億美元，20-25 年 CAGR 為 58.2%。
（二）供給：薄膜電池及 HIT 電池市場規(guī)模尚小，國內(nèi)光伏 靶材亦多處于起步階段
國外頭部企業(yè)一直在增強自身對太陽能電池的開發(fā)與供應(yīng)。JX日礦金屬與愛發(fā)科等在行業(yè)內(nèi)處于 領(lǐng)先位置。如如 JX 日礦金屬目前已擁有了用于形成 CIGS 薄膜太陽能電池吸收層的 In 靶材（4N） 和 CuGa 靶材（3N~5N）。愛發(fā)科在太陽能電池靶材方面也在不斷加強產(chǎn)能建設(shè)，據(jù) 2017 年愛 發(fā)科電子材料（蘇州）有限公司靶材生產(chǎn)技術(shù)改造項目環(huán)境影響報告表數(shù)據(jù)顯示，技改后愛發(fā)科 （蘇州）共擁有半導(dǎo)體及太陽能電池靶材產(chǎn)能 1200 枚/年。
國內(nèi)薄膜電池及 HIT 電池市場規(guī)模尚小，相關(guān)企業(yè)也較少，多處于起步階段，其中先導(dǎo)稀材、江 豐電子等產(chǎn)能規(guī)模相對較大。由于我國薄膜電池及 HIT 電池市場規(guī)模尚小，相關(guān)上游生產(chǎn)企業(yè)也 較少，目前國內(nèi)企業(yè)中涉及太陽能電池靶材生產(chǎn)的企業(yè)主要有江豐電子、先導(dǎo)稀材、四豐電子、 新疆眾合等企業(yè)，其中江豐電子 2020 年太陽能電池靶材營收僅為 0.216 億元，占比 1.85%，毛利 率為13.76%，由于太陽能電池靶材要求較低，因此毛利率較其他產(chǎn)品也較低。此外新疆眾合的鋁 靶、四豐電子的非靶材類鎢、鉬制品也廣泛應(yīng)用于光伏太陽能行業(yè)。先導(dǎo)稀材子公司先導(dǎo)薄膜材 料在清遠擁有新型顯示及 HIT 異質(zhì)結(jié)太陽能用靶材 160 噸，在合肥具有 750 噸太陽能靶材產(chǎn)能。
此外由于 HIT 電池用 ITO 靶材與面板用技術(shù)互通，隆華科技等部分顯示面板靶材企業(yè)也已開始布 局相關(guān)產(chǎn)業(yè)龍頭。如隆華科技司已向 HIT 電池龍頭隆基送樣并開展聯(lián)合測試開發(fā)項目，目前已經(jīng) 通過隆基認證，與下游企業(yè)的緊密合作也將助力公司光伏用 ITO 靶材業(yè)務(wù)的高速增長，確立先發(fā) 優(yōu)勢，高筑行業(yè)壁壘。
五、記錄媒體靶材：趨勢難逆，磁記錄靶材預(yù)計將逐步轉(zhuǎn)向存儲芯片靶材
（一）HDD 轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)中心存儲獲新生，磁記錄靶材目前仍保持高速增長
數(shù)據(jù)存儲可分為光存儲、磁存儲與半導(dǎo)體存儲，目前全球數(shù)據(jù)存儲依然以磁記錄為主，SSD 短期 仍然難以替代。數(shù)據(jù)存儲可分為光存儲、磁存儲與半導(dǎo)體存儲，近年來半導(dǎo)體存儲發(fā)展迅速，預(yù) 計光磁記錄媒體市場會受到一定侵蝕。但從數(shù)據(jù)存儲量來看，目前磁記錄仍然占據(jù)主導(dǎo)記錄， SSD 短期仍然難以替代。傳統(tǒng)的磁存儲設(shè)備機械硬盤（HDD）由于其儲存容量大、儲存時間長且 相對于 SSD 更加安全穩(wěn)定的優(yōu)點使得其在冷數(shù)據(jù)存儲（占全部數(shù)據(jù)的 80%）中方面優(yōu)勢較大， 目前數(shù)據(jù)中心存儲也依然以機械硬盤為主.伴隨著全球數(shù)據(jù)量的快速增長，機械硬盤出貨容量也保 持快速增長。2020年全球機械硬盤出貨容量已超 1ZB。
光存儲技術(shù)是用激光照射介質(zhì)，通過激光與介質(zhì)的相互作用使介質(zhì)發(fā)生物理、化學(xué)變化，將信息 存儲下來的技術(shù)，主要包括 CD、VCD、DVD、BD 藍光等技術(shù)。整體上來看 CD 等技術(shù)占存儲比 例較低。
磁記錄靶材則多以濺射法制作，常用材料為鈷（3N）/鎳/鐵合金/鉻/碲、硒（4N）/稀土- 遷移金 屬（3N）等，主要包括鉻靶、鎳靶、鈷靶。由于光記錄媒體出貨容量占比較小，因此我們本文僅 考慮磁記錄情況，按記錄媒體的機械形狀和驅(qū)動方式的不同，磁記錄可分為磁鼓、磁帶（錄音機、 錄像機、數(shù)據(jù)記錄）、磁盤（硬盤、軟盤）、磁卡等，其中，高密度硬盤領(lǐng)域的磁性薄膜幾乎都 是以濺射法制作的，這些磁記錄薄膜材料有很高的記錄密度。因此也要求濺射靶材具有高純度、 低氣體含量、細晶微結(jié)構(gòu)、均勻的金相、高磁穿透和使用率、優(yōu)異的電性與機械特性等特點。磁 記錄靶材常用材料為鈷（3N）/鎳/鐵合金/鉻/碲、硒（4N）/稀土- 遷移金屬（3N）等，主要包括 鉻靶、鎳靶、鈷靶。
我國磁記錄靶材市場也依然以海外供應(yīng)為主，中國生產(chǎn)磁記錄靶材企業(yè)數(shù)量和產(chǎn)能也非常有限。 全球機械鍵盤產(chǎn)量主要集中在東芝、西部數(shù)據(jù)、希捷三家企業(yè)，中國機械鍵盤產(chǎn)量較小，因此我國磁記錄靶材市場也依然以海外供應(yīng)為主。
受益于數(shù)據(jù)存儲需求快速增長，全球磁記錄媒體靶材依然維持較高增速，預(yù)估 2025 年全球記錄 媒體靶材金額約為 101 億美元，2020-2025 年年均復(fù)合增速約為 10.6%。2013-2016 年單位機械 硬盤容量所需靶材金額約為 0.049、0.048、0.053、0.056 億美元/EB，整體上相對穩(wěn)定，因此我 們假設(shè) 2017-2020 年該金額與 2016 年相同，可計算出 2020 年的全球記錄媒體靶材金額約為 61 億美元，2013-2020 年年均復(fù)合增速約為 15.6%。若假設(shè)單位機械硬盤容量所需靶材金額繼續(xù)維 持不變，參考全球 HDD 出貨量情況，預(yù)估 2025 年的全球記錄媒體靶材金額約為 101 億美元， 20-25 年年均復(fù)合增速約為 10.6%。
預(yù)估 2020 年我國記錄媒體濺射靶材市場規(guī)模為到 97 億元（折合 14 億美元），2013-2020 年年 均復(fù)合增速約為 8.9%。由于機械硬盤國產(chǎn)化水平極低，因此我們預(yù)計我國機械硬盤靶材市場也增 長較為緩慢，參考 2013-2016 年記錄媒體靶材同比情況，我們假設(shè)假設(shè) 2017-2020 年增速仍然維 持在 9%左右。預(yù)估 2020 年我國記錄媒體濺射靶材市場規(guī)模已達到 97 億元（折合 14 億美元）， 我國記錄媒體靶材市場規(guī)模較小，主要系我國機械硬盤國產(chǎn)化水平極低，以及記錄媒體研發(fā)重心 主要在半導(dǎo)體存儲 SSD，對傳統(tǒng)的機械硬盤形成了一定替代。
（二）趨勢難逆，傳統(tǒng)光磁記錄媒體正轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體存儲
固態(tài)硬盤替代機械硬盤已是大勢所趨，傳統(tǒng)光磁記錄媒體靶材預(yù)計將逐步向半導(dǎo)體存儲芯片靶材 轉(zhuǎn)移。作為新一代硬盤，SSD 在性能、體積、噪音、震動等方面均遠勝于 HDD。近幾年隨著 NAND 閃存技術(shù)的不斷發(fā)展，基于閃存存儲的 SSD 性能不斷提升，不僅壽命足以支持各類應(yīng)用場 景，其價格也在持續(xù)回落恢復(fù)到市場所認同的高性價比。但短期來看，HDD 在數(shù)據(jù)中心等方面的 優(yōu)勢依然較為突出，SDD仍有部分缺陷尚待攻克，受益于全球數(shù)據(jù)存儲需求的高速增長，HDD與 SSD 在存儲容量方面均將保持較快增速，但 SSD 對 HDD 逐步形成侵蝕已成必然。也將帶動傳統(tǒng) 光磁記錄媒體靶材預(yù)計將逐步向半導(dǎo)體存儲芯片靶材轉(zhuǎn)移。
此外存儲芯片需求的上升預(yù)計將帶來鈷靶、鎢靶、鉭靶等靶材需求上升。據(jù)電子工程世界 2018 年《進口靶材免稅“天窗”即將到期，或增加 17%關(guān)稅利好國內(nèi)廠商》一文介紹，存儲器芯片靶 材使用和邏輯芯片的使用種類有很大區(qū)別。邏輯里用量大的是銅、鉭、鈦、鋁、鈷、鎳鉑等，這 幾種材料占到所有份額的 95%以上，其中銅和鉭占采購份額的 85%。銅和鉭是邏輯 FAB 里面用 量最大的兩種產(chǎn)品，若能掌握銅、鉭靶材的生產(chǎn)工藝，則主導(dǎo)邏輯 FAB 靶材。
存儲器芯片則分為兩個方向，一個是 DRAM，一個是 NAND。
1） DRAM 廠主要種類是鎢、鈦、鉭、鋁、鈷、銅，用量最大的是鈦靶和鋁靶，但單塊金額較 低。如能掌握鈷靶、鎢靶、鉭靶的研發(fā)能力，預(yù)測便能掌握較大的 DRAM 份額。鋁靶、鈦靶的行 業(yè)壁壘相對較低，使用較為成熟，國內(nèi)的江豐、有研等在 FAB 采購份額也均占有一定的比例，對 于高端的鎢、鈷、鉭靶材供應(yīng)商主要還是以 nikko、Tosol 和 honeywell 等國外企業(yè)為主，銅的用 量則相對不大。
2）3D NAND 領(lǐng)域主要使用的靶材為鎢，其次是鈦，再其次是銅和鉭的用量，鎢靶的采購額占據(jù) 3D NAND 工廠的 70%以上份額，鉭靶 Tosol 的市場份額還是有很大的競爭力，Nikko 在鉭靶方面 前期做的不如其他家，但是Nikko收購了鉭靶的原材料供應(yīng)商，預(yù)計后期Nikko競爭力相對較強。 此外我國的長江存儲 32 層堆棧 3D NAND 閃存量產(chǎn)在即，國產(chǎn) 3D-NAND 加速崛起，鎢靶在國內(nèi) 市場需求較大，也是目前我國亟需突破的一款靶材。江豐電子與章源鎢業(yè)也在高純鎢及靶材方面 取得了較大進步。
六、投資分析
綜上，靶材作為半導(dǎo)體、顯示面板、光伏電池等的關(guān)鍵原料，預(yù)計 2025 年全球市場規(guī)模將達 333 億美元，但目前四家日美巨頭占據(jù) 80%靶材市場，國產(chǎn)替代需求強烈。近年來隨著下游產(chǎn)業(yè)向國 內(nèi)轉(zhuǎn)移以及國內(nèi)靶材工藝和原料提純工藝的突破，國產(chǎn)鋁、銅、鉬、ITO 等品種已取得定向突破， 并進入下游主流客戶供應(yīng)體系。從下游來看，我們認為半導(dǎo)體靶材市場、顯示面板靶材市場以及 光伏面板靶材市場未來成長空間較大，預(yù)計 2025 年我國半導(dǎo)體靶材市場規(guī)模將達到 6.7 億美元， 21-25 年 CAGR 為 9.2%。顯示面板靶材市場規(guī)模約為 50 億美元，21-25 年 CAGR 為 18.9%。光 伏靶材市場規(guī)模將接近 38 億美元,21-25 年 CAGR 為 56.1%。
（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議。如需使用相關(guān)信息，請參閱報告原文。）
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