按照應(yīng)用領(lǐng)域不同，電子濺射靶材可以分為半導體靶材、平面靶材、鍍膜玻璃靶材、太陽能光伏靶材等，不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)饘俨牧系倪x擇和性能要求存在一定的差異，其中半導體集成電路用的濺射靶材技術(shù)要求高，質(zhì)量要求最苛刻。以下由靶材生產(chǎn)廠家-凱澤金屬，結(jié)合多年的半導體、平面、鍍膜等用鈦鎳鋯鋁靶材的深加工及銷售經(jīng)驗，將靶材的分類，從應(yīng)用、種類等維度，細分如下：
靶材的主要種類與用途一覽表
| 靶材種類 | 應(yīng)用 | 種類 | 性能要求 |
| 半導體 | 制備集成電路核心材料 | W、鎢鈦（Wti）、Ti、Ta、Al合金、Cu等，純度在4N或5N以上 | 技術(shù)要求高、超高純度金屬、高精度尺寸、高集成度 |
| 平面顯示 | 濺射技術(shù)保證生產(chǎn)薄膜均勻性，提高生產(chǎn)率降低成本 | 鈮靶、硅靶、Cr靶、鉬靶、MoNb、Al靶、鋁合金靶、銅靶、銅合金 | 技術(shù)要求高、高純度材料、材料面積大、均勻性程度高 |
| 裝飾 | 用于產(chǎn)品表面鍍膜，起美化耐磨耐腐蝕的效果 | 鉻靶、鈦靶、鋯（Zr）、鎳、鎢、鈦鋁、CrSi、CrTi、CrAlZr、不銹鋼靶 | 技術(shù)要求一般，主要用于裝飾、節(jié)能等 |
| 工具 | 工具、模具表面強化，提高壽命與被制造零件質(zhì)量 | TiAl靶、鉻鋁靶、Cr靶、Ti靶、TiN、TiC、Al203等 | 性能要求較高、使用壽命延長 |
| 太陽能光伏 | 濺射薄膜技術(shù)用于第四代薄膜太陽能電池的制作 | 氧化鋅鋁靶、氧化鋅靶、鋅鋁靶、鉬靶、硫化鎘（CdS）靶、銅銦鎵硒等 | 技術(shù)要求高、應(yīng)用范圍大 |
| 電子器件 | 用于薄膜電阻、薄膜電容 | NiCr靶、鎳鉻硅靶、鉻硅靶、鉭（Ta）靶、鎳鉻鋁靶等 | 要求電子器件尺寸小、穩(wěn)定性好、電阻溫度系數(shù)小 |
| 信息存儲 | 用于制作磁儲存器 | Cr基、鈷（Co）基、鈷鐵基、Ni基等合金 | 高儲存密度、高傳輸速度 |
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