1、定義
TA1高純鈦靶管是以中國國家標準 GB/T 3620.1 中的 TA1（工業純鈦） 為基礎材料，通過二次提純和精密加工制成的空心圓柱形濺射靶材。其純度通過特殊工藝提升 99.9%（3N級） 以上，結合管狀結構的旋轉濺射優勢，適用于高效、連續的鍍膜生產，尤其在裝飾鍍層、工業耐磨涂層及中端光學鍍膜領域表現突出。
2、性能特點
純度與雜質控制：
基礎TA1純度 99.5%，提純后≥99.9%（Fe≤0.05%，O≤0.15%，C≤0.03%）。
雜質定向去除，避免薄膜針孔或電學性能波動。
結構優勢：
空心管狀設計，旋轉濺射利用率達 70-80%，顯著降低材料浪費。
壁厚均勻性 ±0.1 mm，濺射膜厚偏差≤±3%。
耐腐蝕性：
在5% NaCl溶液中年腐蝕速率≤0.005 mm，適合海洋環境或化工設備鍍層。
熱管理性能：
復合銅背板設計，導熱系數≥200 W/m·K，適配高功率濺射（≤15 W/cm2）。
3、材質與制造工藝
材質：
基材：TA1鈦（GB/T 3620.1），經 電子束區域熔煉（EBZM） 提純至3N級。
背板：內壁復合無氧銅（OFC，Cu≥99.99%）以增強散熱和機械支撐。
制造工藝：
原料提純：
真空自耗電弧熔煉（VAR）：去除揮發性雜質（如Cl、S）。
電子束熔煉（EBM）：定向凝固，Fe含量降至≤50 ppm。
管材成型：
熱擠壓（900-1000°C） → 旋壓冷軋 → 退火（消除應力）。
精密加工：
真空電子束焊接（EBW） 密封管端，確保濺射時無氣體泄漏。
內外壁鏡面拋光（Ra≤0.6 μm），超聲波清洗去除表面污染物。
復合處理：
鈦-銅界面通過 真空擴散焊（溫度800°C，壓力50 MPa）實現高強度結合（≥200 MPa）。
4、執行標準
| 標準類型 | 具體標準 |
| 國內標準 | GB/T 3620.1（TA1工業純鈦）、GB/T 3625（鈦及鈦合金管材） |
| 行業規范 | SJ/T 11609-2016（濺射靶材通用技術條件）、JB/T 8554（工業涂層性能要求） |
| 國際參考 | ASTM B338（鈦及鈦合金無縫管）、ISO 5832-2（醫用鈦材性能參考） |
5、應用領域
裝飾鍍膜：
智能設備外殼的 氮化鈦（TiN）仿金鍍層（顏色均勻性優于電鍍工藝）。
高端廚具的 碳化鈦（TiC）黑色涂層（耐刮擦、防指紋）。
工業耐磨涂層：
注塑模具的 TiCN涂層（摩擦系數≤0.25，壽命提升3-5倍）。
紡織機械導輥的 純鈦鍍層（耐纖維磨損，降低維護頻率）。
中端光學器件：
相機濾鏡的 增透膜（400-700 nm波段透過率≥97%）。
LED封裝反射層的 鈦基高反射膜（反射率≥92%）。
防腐工程：
海洋平臺螺栓的 CrTiN復合鍍層（耐鹽霧≥1000小時）。
化工閥門的 純鈦防護層（耐酸堿腐蝕，替代哈氏合金）。
6、與其他鈦靶管的異同對比
| 特性 | TA1高純鈦靶管（3N級） | TA2鈦靶管 | 4N5級高純鈦靶管 | 鈦合金靶管（Ti6Al4V） |
| 純度 | 99.9%（Fe≤0.05%） | 99.5%（Fe≤0.20%） | 99.995%（Fe≤0.005%） | 90% Ti + 6% Al + 4% V |
| 成本 | 中（￥600-1000/kg） | 低（￥400-800/kg） | 高（￥2000-4000/kg） | 中高（￥1000-1500/kg） |
| 耐溫性 | ≤600°C（氧化前） | ≤500°C | ≤800°C | ≤400°C（Al易氧化） |
| 適用工藝 | 中功率濺射（≤12 W/cm2） | 低功率濺射 | 高功率濺射（≤20 W/cm2） | 共濺射（需Al/V靶配合） |
| 薄膜性能 | 耐磨/裝飾均衡 | 基礎防護 | 超低缺陷（半導體級） | 高硬度但易氧化 |
| 典型應用 | 工具鍍層、中端光學 | 防腐鍍層、裝飾 | 半導體/精密光學 | 航空耐磨部件 |
7、選購方法與注意事項
選購方法
純度與雜質檢測：
要求供應商提供 ICP-MS檢測報告，確認Fe≤50 ppm、O≤150 ppm。
若用于光學鍍膜，需額外控制 Al、Si≤10 ppm。
幾何精度驗證：
壁厚公差 ±0.1 mm，同心度≤0.05 mm，直線度≤0.1 mm/m（激光掃描檢測）。
微觀結構分析：
SEM+EDS：晶粒尺寸≤80 μm，無氣孔、裂紋（氣孔率≤0.2%）。
供應商篩選：
優先選擇具備 EBM+EBW一體化工藝 的廠商（如寶雞鈦業、西部超導）。
驗證是否通過 ISO 9001 及 IATF 16949（汽車行業）認證。
注意事項
儲存與預處理：
真空鋁箔袋充氬封裝，儲存溫度 15-25°C，濕度<30% RH。
使用前 氬離子轟擊清洗（功率 5 W/cm2，時間 20分鐘），去除表面氧化層。
工藝優化：
TiN涂層：氮氣占比 40-60%，基片溫度 200-350°C，偏壓 -50至-100 V。
純鈦鍍層：氬氣純度≥99.999%，濺射氣壓 0.3-0.5 Pa，避免氧污染。
維護與報廢：
定期檢查壁厚（剩余厚度<1 mm時更換），防止冷卻液泄漏。
報廢靶管可重熔再生，但需控制 O含量增量≤100 ppm。
TA1高純鈦靶管通過提純工藝在保留工業純鈦成本優勢的同時，顯著提升了雜質控制水平與濺射效率，成為中端鍍膜市場的理想選擇。其性價比優于4N5級靶管，且比TA2靶管更適合要求較高的耐磨與光學應用。選購時需嚴格把控純度、幾何精度及供應商的工藝成熟度，使用中需優化濺射參數并定期維護。對于半導體或超精密光學等高端領域，仍需選用4N5級以上靶材；而在工具強化、裝飾鍍層及一般工業防護場景，TA1高純鈦靶管可實現性能與成本的最佳平衡。
