TA2高純鈦靶通過提純工藝在保留工業純鈦成本優勢的同時，提升了純度與濺射性能，成為中端工業涂層的理想選擇。其性價比顯著高于4N5級高純鈦靶，但薄膜性能（如電阻率、耐高溫性）略遜于后者。選購時需重點把控Fe、O雜質含量及晶粒均勻性，應用中需優化濺射氣體比例與基片溫度。對于要求嚴苛的半導體或光學鍍膜，仍需選用4N5級以上靶材；而在工具強化、通用防腐領域... 【詳情】

TA1高純鈦靶管通過提純工藝在保留工業純鈦成本優勢的同時，顯著提升了雜質控制水平與濺射效率，成為中端鍍膜市場的理想選擇。其性價比優于4N5級靶管，且比TA2靶管更適合要求較高的耐磨與光學應用。選購時需嚴格把控純度、幾何精度及供應商的工藝成熟度，使用中需優化濺射參數并定期維護... 【詳情】

鈦靶板（平面靶）憑借其大面積成膜能力與高純度特性，成為半導體、光學及工業涂層領域的核心材料。相較于鈦管靶，其邊緣損耗較高但兼容性更廣；與鈦合金靶相比，純度更高但需依賴復合背板提升散熱效率。選購時需嚴格把控純度、微觀結構及供應商工藝能力，使用中需優化濺射參數與維護流程，以平衡鍍膜質量與成本效益... 【詳情】

TA1鈦靶管憑借其低成本、易加工和良好的耐腐蝕性，成為工業防腐與裝飾鍍層的經濟型選擇。相較于高純鈦靶管，其薄膜均勻性和耐溫性稍遜，但成本優勢顯著；與TA2鈦靶管相比，雜質控制更優，適合對鍍層質量要求稍高的場景。選購時需重點關注Fe、O雜質含量及幾何精度，應用中需控制濺射參數以避免膜層缺陷... 【詳情】

異形鈦靶材通過定制化設計解決了復雜結構鍍膜的行業痛點，盡管初期成本與周期較高，但其在材料利用率、鍍膜精度上的優勢顯著。選購時需緊密協同設計與工藝團隊，優先選擇具備增材制造與精密加工能力的供應商，并通過小批量試制驗證可行性。在半導體3D集成、航空航天高溫涂層等前沿領域... 【詳情】

高純鈦靶指純度≥ 99.95%（3N5級） 的鈦濺射靶材，雜質總量≤ 500 ppm，關鍵元素（Fe、O、C等）需精確控制。根據應用需求，純度可提升至 99.999%（5N級），主要用于對薄膜性能要求嚴苛的半導體、光學及新能源領域... 【詳情】